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Imagen FDU6612A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDU6612A

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Especificaciones

Número de pieza

FDU6612A
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDU6612A.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

IPAK (TO-251)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 9.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.8W (Ta), 36W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.4nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 9.5A (Ta), 30A (Tc) 2.8W (Ta), 36W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta), 30A (Tc)

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