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3081802

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDU6688

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Especificaciones

Número de pieza

FDU6688
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 84A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDU6688.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

IPAK (TO-251)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

5 mOhm @ 18A, 10V
La disipación de energía (máximo)

83W (Ta)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3845pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 84A (Ta) 83W (Ta) Through Hole IPAK (TO-251)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

84A (Ta)

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