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Imagen FDY1002PZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDY1002PZ

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Especificaciones

Número de pieza

FDY1002PZ
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDY1002PZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SC-89-6
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

500 mOhm @ 830mA, 4.5V
Potencia - Max

446mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

FDY1002PZDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

135pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 830mA 446mW Surface Mount SC-89-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

830mA

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