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FFAF10U170STU

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Especificaciones

Número de pieza

FFAF10U170STU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN PURP 1.7KV 10A TO3PF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FFAF10U170STU.pdf
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

2.2V @ 10A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1700V
Paquete del dispositivo

TO-3PF-2L
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

140ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3PF Variant, 2 Leads
Temperatura de funcionamiento - Junction

-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
Descripción detallada

Diode Standard 1700V 10A Through Hole TO-3PF-2L
Corriente - Fuga inversa a Vr

100µA @ 1700V
Corriente - rectificada media (Io)

10A
Capacitancia Vr, F

-

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