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40874Imagen FFAF30U60DNTUAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FFAF30U60DNTU

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FFAF30U60DNTU
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3PF
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FFAF30U60DNTU.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.3V @ 30A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    TO-3PF
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    90ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-3P-3 Full Pack
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 30A Through Hole TO-3P-3 Full Pack
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    15µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    30A

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Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 20AF TO3PF

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Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 15AF TO3PF

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Descripción: DIODE ARRAY GP 600V 20A TO3PF

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FFAM0252*2

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Descripción: ADHESIVE FERRITE ABSORBENT MATER

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