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5004601Imagen FGA30N65SMDAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA30N65SMD

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FGA30N65SMD
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 650V 60A 300W TO3P-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FGA30N65SMD.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 30A
  • Condición de prueba
    400V, 30A, 6 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    14ns/102ns
  • Cambio de Energía
    716µJ (on), 208µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-3P
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    35ns
  • Potencia - Max
    300W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Field Stop
  • puerta de carga
    87nC
  • Descripción detallada
    IGBT Field Stop 650V 60A 300W Through Hole TO-3P
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    90A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    60A

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