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5670470Imagen FGA25N120ANTDTUAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA25N120ANTDTU

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FGA25N120ANTDTU
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1200V 50A 312W TO3P
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FGA25N120ANTDTU.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.65V @ 15V, 50A
  • Condición de prueba
    600V, 25A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    50ns/190ns
  • Cambio de Energía
    4.1mJ (on), 960µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-3P
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    350ns
  • Potencia - Max
    312W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Otros nombres
    FGA25N120ANTDTU_NL
    FGA25N120ANTDTU_NL-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    NPT and Trench
  • puerta de carga
    200nC
  • Descripción detallada
    IGBT NPT and Trench 1200V 50A 312W Through Hole TO-3P
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    90A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    50A
  • Número de pieza base
    FGA25N120A

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