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Imagen FGA50N100BNTD2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA50N100BNTD2

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Especificaciones

Número de pieza

FGA50N100BNTD2
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FGA50N100BNTD2.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

1000V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A
Condición de prueba

600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

34ns/243ns
Cambio de Energía

-
Paquete del dispositivo

TO-3P
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

75ns
Potencia - Max

156W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

NPT and Trench
puerta de carga

257nC
Descripción detallada

IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

200A
Corriente - colector (Ic) (Max)

50A

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