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Imagen FGA60N60UFDTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA60N60UFDTU

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Especificaciones

Número de pieza

FGA60N60UFDTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 600V 120A 298W TO3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FGA60N60UFDTU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 60A
Condición de prueba

400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

23ns/130ns
Cambio de Energía

1.81mJ (on), 810µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-3P
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

47ns
Potencia - Max

298W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

44 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Field Stop
puerta de carga

188nC
Descripción detallada

IGBT Field Stop 600V 120A 298W Through Hole TO-3P
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

180A
Corriente - colector (Ic) (Max)

120A

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