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Imagen FGA70N33BTDTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA70N33BTDTU

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Especificaciones

Número de pieza

FGA70N33BTDTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 330V 149W TO3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FGA70N33BTDTU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

330V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 70A
Condición de prueba

-
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

-
Cambio de Energía

-
Paquete del dispositivo

TO-3P
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

23ns
Potencia - Max

149W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Trench
puerta de carga

49nC
Descripción detallada

IGBT Trench 330V 149W Through Hole TO-3P
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

220A

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