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Imagen FGB30N6S2DT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGB30N6S2DT

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Especificaciones

Número de pieza

FGB30N6S2DT
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 600V 45A 167W TO263AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FGB30N6S2DT.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A
Condición de prueba

390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

6ns/40ns
Cambio de Energía

55µJ (on), 100µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-263AB
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

46ns
Potencia - Max

167W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

FGB30N6S2DT_NL
FGB30N6S2DT_NL-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
puerta de carga

23nC
Descripción detallada

IGBT 600V 45A 167W Surface Mount TO-263AB
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

108A
Corriente - colector (Ic) (Max)

45A
Número de pieza base

FGB30N6

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