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484249Imagen FGB40T65SPD-F085AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGB40T65SPD-F085

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FGB40T65SPD-F085
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT FIELD STOP 650V 80A D2PAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    FGB40T65SPD-F085.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Condición de prueba
    400V, 40A, 6 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    18ns/35ns
  • Cambio de Energía
    970µJ (on), 280µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-263AB (D²PAK)
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    34ns
  • Potencia - Max
    267W
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Otros nombres
    FGB40T65SPD-F085DKR
    FGB40T65SPD_F085DKR
    FGB40T65SPD_F085DKR-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    36nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 650V 80A 267W Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    120A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    80A

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