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Imagen FGH40N60SMDF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGH40N60SMDF

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Especificaciones

Número de pieza

FGH40N60SMDF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 600V 80A 349W TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FGH40N60SMDF.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A
Condición de prueba

400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

12ns/92ns
Cambio de Energía

1.3mJ (on), 260µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-247-3
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

90ns
Potencia - Max

349W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

Field Stop
puerta de carga

119nC
Descripción detallada

IGBT Field Stop 600V 80A 349W Through Hole TO-247-3
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

120A
Corriente - colector (Ic) (Max)

80A
Número de pieza base

FGH40N60

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