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5666543Imagen FGH40T100SMDAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGH40T100SMD

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FGH40T100SMD
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 1000V 80A 333W TO247-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    FGH40T100SMD.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    1000V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.3V @ 15V, 40A
  • Condición de prueba
    600V, 40A, 10 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    29ns/285ns
  • Cambio de Energía
    2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247-3
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    78ns
  • Potencia - Max
    333W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • puerta de carga
    265nC
  • Descripción detallada
    IGBT Trench Field Stop 1000V 80A 333W Through Hole TO-247-3
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    120A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    80A

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Descripción: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3

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Existencias disponibles
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FGH40T100SMD-F155

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Descripción: IGBT 1000V 80A 333W TO247-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FGH40T120SMDL4

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Descripción: IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

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Descripción: IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

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Descripción: IGBT 650V 80A 267W TO-247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 650V 80A 268W TO-247-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: IGBT 600V 80A 290W TO247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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