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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-RF > FH105A-TR-E

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Imagen FH105A-TR-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FH105A-TR-E

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Especificaciones

Número de pieza

FH105A-TR-E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 30MA 10V MCP6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FH105A-TR-E.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

10V
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

6-MCP
Serie

-
Potencia - Max

150mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
La figura de ruido (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1.5GHz
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Ganancia

10dB @ 1.5GHz
Frecuencia - Transición

8GHz
Descripción detallada

RF Transistor NPN 10V 30mA 8GHz 150mW Surface Mount 6-MCP
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

0.95 @ 10mA, 5V
Corriente - colector (Ic) (Max)

30mA

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