FJV3111RMTF

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Especificaciones

Número de pieza

FJV3111RMTF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FJV3111RMTF.pdf
2.FJV3111RMTF.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

40V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SOT-23-3 (TO-236)
Serie

-
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA

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Descripción: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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