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FJV4101RMTF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    FJV4101RMTF
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.FJV4101RMTF.pdf
    2.FJV4101RMTF.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo de transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potencia - Max
    200mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    FJV4101RMTF-ND
    FJV4101RMTFTR
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    200MHz
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 10mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    100nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número de pieza base
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