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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > FJY3014R

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Imagen FJY3014R

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJY3014R

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Especificaciones

Número de pieza

FJY3014R
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FJY3014R.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

NPN - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SOT-523F
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SC-89, SOT-490
Otros nombres

FJY3014RDKR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

250MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-523F
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

FJY3014

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