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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-bipolar (BJT)-solo, presesgado > FJY4001R

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Imagen FJY4001R

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FJY4001R

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Especificaciones

Número de pieza

FJY4001R
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT523F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FJY4001R.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo de transistor

PNP - Pre-Biased
Paquete del dispositivo

SOT-523F
Serie

-
Resistor - Base del emisor (R2)

4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Potencia - Max

200mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SC-89, SOT-490
Otros nombres

FJY4001RTR
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-523F
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

100mA
Número de pieza base

FJY4001

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