FQD13N10LTM

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Especificaciones

Número de pieza

FQD13N10LTM
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FQD13N10LTM.pdf
2.FQD13N10LTM.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D-Pak
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 40W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FQD13N10LTMCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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FQD12P10TM-F085

Descripción: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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