FQD17N08LTM

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Especificaciones

Número de pieza

FQD17N08LTM
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.FQD17N08LTM.pdf
2.FQD17N08LTM.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

100 mOhm @ 6.45A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 40W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FQD17N08LTM-ND
FQD17N08LTMTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

5 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11.5nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 12.9A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12.9A (Tc)

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FQD16N15TF

Descripción: MOSFET N-CH 150V 11.8A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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