FQE10N20LCTU

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Especificaciones

Número de pieza

FQE10N20LCTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FQE10N20LCTU.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-126
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

360 mOhm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

12.8W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-225AA, TO-126-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

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