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722969Imagen TSM080N03EPQ56 RLGTSC (Taiwan Semiconductor)

TSM080N03EPQ56 RLG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TSM080N03EPQ56 RLG
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    TSM080N03EPQ56 RLG.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-PDFN (5x6)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    8 mOhm @ 16A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    54W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN
  • Otros nombres
    TSM080N03EPQ56 RLGCT
    TSM080N03EPQ56 RLGCT-ND
    TSM080N03EPQ56RLGCT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    30 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    750pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    7.5nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 55A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    55A (Tc)

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