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Imagen FQU13N06LTU-WS

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQU13N06LTU-WS

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Especificaciones

Número de pieza

FQU13N06LTU-WS
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FQU13N06LTU-WS.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

115 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 28W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

FQU13N06LTU_WS
FQU13N06LTU_WS-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.4nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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