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Imagen FQU1N60TU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQU1N60TU

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Especificaciones

Número de pieza

FQU1N60TU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FQU1N60TU.pdf
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

11.5 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 30W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1A (Tc)

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