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Imagen HGTG11N120CND

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG11N120CND

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Especificaciones

Número de pieza

HGTG11N120CND
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 1200V 43A 298W TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HGTG11N120CND.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 11A
Condición de prueba

960V, 11A, 10 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

23ns/180ns
Cambio de Energía

950µJ (on), 1.3mJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-247
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

70ns
Potencia - Max

298W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

NPT
puerta de carga

100nC
Descripción detallada

IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

80A
Corriente - colector (Ic) (Max)

43A

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