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Imagen HGTG12N60B3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG12N60B3

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Especificaciones

Número de pieza

HGTG12N60B3
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 600V 27A 104W TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

HGTG12N60B3.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

600V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A
Condición de prueba

480V, 12A, 25 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

26ns/150ns
Cambio de Energía

150µJ (on), 250µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-247-3
Serie

-
Potencia - Max

104W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-247-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

-
puerta de carga

51nC
Descripción detallada

IGBT 600V 27A 104W Through Hole TO-247-3
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

110A
Corriente - colector (Ic) (Max)

27A
Número de pieza base

HGTG12N60

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