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HGTP5N120BND

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Especificaciones

Número de pieza

HGTP5N120BND
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.HGTP5N120BND.pdf
2.HGTP5N120BND.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 5A
Condición de prueba

960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Td (encendido / apagado) @ 25 ° C

22ns/160ns
Cambio de Energía

450µJ (on), 390µJ (off)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

65ns
Potencia - Max

167W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada

Standard
Tipo de IGBT

NPT
puerta de carga

53nC
Descripción detallada

IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB
Corriente - Colector Pulsada (ICM)

40A
Corriente - colector (Ic) (Max)

21A

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