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5382699Imagen HGTG7N60A4DAMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGTG7N60A4D

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450+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    HGTG7N60A4D
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IGBT 600V 34A 125W TO247
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    HGTG7N60A4D.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 7A
  • Condición de prueba
    390V, 7A, 25 Ohm, 15V
  • Td (encendido / apagado) @ 25 ° C
    11ns/100ns
  • Cambio de Energía
    55µJ (on), 60µJ (off)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247-3
  • Serie
    -
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    34ns
  • Potencia - Max
    125W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    HGTG7N60A4D_NL
    HGTG7N60A4D_NL-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • puerta de carga
    37nC
  • Descripción detallada
    IGBT 600V 34A 125W Through Hole TO-247-3
  • Corriente - Colector Pulsada (ICM)
    56A
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    34A

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Descripción: IGBT 600V 60A 208W TO247

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