IRLM220ATF

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Especificaciones

Número de pieza

IRLM220ATF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IRLM220ATF.pdf
2.IRLM220ATF.pdf
VGS (th) (Max) @Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-223-4
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

800 mOhm @ 570mA, 5V
La disipación de energía (máximo)

2W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres

IRLM220ATFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

21 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 1.13A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.13A (Ta)

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