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5734560Imagen IRLML2060TRPBFInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRLML2060TRPBF

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Especificaciones
  • Número de pieza
    IRLML2060TRPBF
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    IRLML2060TRPBF.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    Micro3™/SOT-23
  • Serie
    HEXFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    480 mOhm @ 1.2A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.25W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    IRLML2060TRPBFTR
    SP001578644
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    64pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    0.67nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    N-Channel 60V 1.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
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