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ISL9K8120P3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ISL9K8120P3
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE ARRAY GP 1200V 8A TO220
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.ISL9K8120P3.pdf
    2.ISL9K8120P3.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    3.3V @ 8A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    1200V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Stealth™
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    44ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • configuración de diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descripción detallada
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 8A Through Hole TO-220-3
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100µA @ 1200V
  • Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)
    8A

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Descripción: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

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