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2410682Imagen ISL9R1560P2-F085AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ISL9R1560P2-F085

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Especificaciones
  • Número de pieza
    ISL9R1560P2-F085
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    ISL9R1560P2-F085.pdf
  • Tensión - directo (Vf) (Max) Si @
    2.2V @ 15A
  • Voltaje - Inverso (Vr) (máx)
    600V
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AC
  • Velocidad
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, Stealth™
  • Tiempo de recuperación inversa (trr)
    30ns
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-2
  • Otros nombres
    ISL9R1560P2_F085
    ISL9R1560P2_F085-ND
  • Temperatura de funcionamiento - Junction
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo de diodo
    Standard
  • Descripción detallada
    Diode Standard 600V 15A Through Hole TO-220AC
  • Corriente - Fuga inversa a Vr
    100µA @ 600V
  • Corriente - rectificada media (Io)
    15A
  • Capacitancia Vr, F
    -

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

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Descripción: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

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Descripción: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247

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