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Imagen KSB1149YSTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

KSB1149YSTU

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Especificaciones

Número de pieza

KSB1149YSTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

KSB1149YSTU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 1.5mA, 1.5A
Tipo de transistor

PNP - Darlington
Paquete del dispositivo

TO-126-3
Serie

-
Potencia - Max

1.3W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-225AA, TO-126-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

-
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 3A 1.3W Through Hole TO-126-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

4000 @ 1.5A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

10µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

3A
Número de pieza base

KSB1149

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