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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > KSB1366GTU

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Imagen KSB1366GTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

KSB1366GTU

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Especificaciones

Número de pieza

KSB1366GTU
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 60V 3A TO-220F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

KSB1366GTU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 2A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-220F
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

9MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 9MHz 2W Through Hole TO-220F
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 500mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

3A
Número de pieza base

KSB1366

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