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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > KSB810YTA

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Imagen KSB810YTA

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

KSB810YTA

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Especificaciones

Número de pieza

KSB810YTA
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 25V 0.7A TO-92S
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

KSB810YTA.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

25V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 70mA, 700mA
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-92S
Serie

-
Potencia - Max

350mW
embalaje

Tape & Box (TB)
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

160MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 700mA 160MHz 350mW Through Hole TO-92S
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

700mA

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