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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > KSB834O

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KSB834O

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Especificaciones

Número de pieza

KSB834O
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 60V 3A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.KSB834O.pdf
2.KSB834O.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

60V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

1V @ 300mA, 3A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
Potencia - Max

1.5W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

9MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 9MHz 1.5W Through Hole TO-220-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 500mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

3A
Número de pieza base

KSB834

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