MBRM110ET3G

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Especificaciones

Número de pieza

MBRM110ET3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MBRM110ET3G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

530mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

10V
Paquete del dispositivo

Powermite
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-216AA
Otros nombres

MBRM110ET3G-ND
MBRM110ET3GOSTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
Descripción detallada

Diode Schottky 10V 1A Surface Mount Powermite
Corriente - Fuga inversa a Vr

1µA @ 10V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

-
Número de pieza base

MBRM110

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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