MBRM110LT1G

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Especificaciones

Número de pieza

MBRM110LT1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MBRM110LT1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

365mV @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

10V
Paquete del dispositivo

Powermite
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

DO-216AA
Otros nombres

MBRM110LT1GOSTR
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 125°C
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
Descripción detallada

Diode Schottky 10V 1A Surface Mount Powermite
Corriente - Fuga inversa a Vr

500µA @ 10V
Corriente - rectificada media (Io)

1A
Capacitancia Vr, F

-
Número de pieza base

MBRM110

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MBRI20100CT C0G

Descripción: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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