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82120Imagen MCH3478-TL-WAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MCH3478-TL-W

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MCH3478-TL-W
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 2A MCPH3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MCH3478-TL-W.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    3-MCPH
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    165 mOhm @ 1A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    800mW (Ta)
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    3-SMD, Flat Leads
  • Otros nombres
    MCH3478-TL-WOSDKR
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    7 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    130pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    1.7nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 3-MCPH
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

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