MJD112-1G

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Especificaciones

Número de pieza

MJD112-1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJD112-1G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 4A
Tipo de transistor

NPN - Darlington
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

-
Potencia - Max

1.75W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

MJD112-1GOS
MJD1121G
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

9 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

25MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 2A, 3V
Corriente - corte del colector (Max)

20µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

2A
Número de pieza base

MJD112

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "MJD112-1G".

MJD112G

Descripción: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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