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3289493Imagen MJD112RLGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD112RLG

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12600+
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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJD112RLG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJD112RLG.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Tipo de transistor
    NPN - Darlington
  • Paquete del dispositivo
    DPAK
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.75W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    MJD112RLG-ND
    MJD112RLGOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    2 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    25MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    20µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    2A
  • Número de pieza base
    MJD112

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