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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJD253-1G

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Imagen MJD253-1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD253-1G

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Especificaciones

Número de pieza

MJD253-1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 100V 4A IPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJD253-1G.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

I-PAK
Serie

-
Potencia - Max

1.4W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres

MJD253-1G-ND
MJD253-1GOS
MJD2531G
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

40MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 40MHz 1.4W Through Hole I-PAK
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

4A
Número de pieza base

MJD253

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