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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJD29CTF

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Imagen MJD29CTF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD29CTF

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Especificaciones

Número de pieza

MJD29CTF
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 100V 1A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJD29CTF.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

100V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

D-Pak
Serie

-
Potencia - Max

1.56W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

3MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 3MHz 1.56W Surface Mount D-Pak
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 4V
Corriente - corte del colector (Max)

50µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

1A

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