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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJD31C1G
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3293495Imagen MJD31C1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD31C1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJD31C1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 100V 3A IPAK
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJD31C1G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    100V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.2V @ 375mA, 3A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    I-PAK
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.56W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Otros nombres
    MJD31C1G-ND
    MJD31C1GOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    2 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    3MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole I-PAK
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    10 @ 3A, 4V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    50µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    3A
  • Número de pieza base
    MJD31

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