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Imagen MJE15030

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE15030

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Especificaciones

Número de pieza

MJE15030
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 150V 8A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

MJE15030.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

150V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
Potencia - Max

50W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

MJE15030OS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frecuencia - Transición

30MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 150V 8A 30MHz 50W Through Hole TO-220AB
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

8A

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