MJE15033G

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Especificaciones

Número de pieza

MJE15033G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJE15033G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

250V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
Potencia - Max

2W
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

MJE15033GOS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

25 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

30MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 250V 8A 30MHz 2W Through Hole TO-220AB
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 2A, 5V
Corriente - corte del colector (Max)

10µA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

8A

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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