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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJE3055TG
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2687212Imagen MJE3055TGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE3055TG

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJE3055TG
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS NPN 60V 10A TO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJE3055TG.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    60V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    8V @ 3.3A, 10A
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    75W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    MJE3055TGOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    23 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    2MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 75W Through Hole TO-220AB
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 4A, 4V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    700µA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    10A
  • Número de pieza base
    MJE3055

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