MJE3439G

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Especificaciones

Número de pieza

MJE3439G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS NPN 350V 0.3A TO225AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MJE3439G.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

350V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-225AA
Serie

-
Potencia - Max

15W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-225AA, TO-126-3
Otros nombres

MJE3439GOS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

15MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 300mA 15MHz 15W Through Hole TO-225AA
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

15 @ 20mA, 10V
Corriente - corte del colector (Max)

20µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

300mA

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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MJE4343G

Descripción: TRANS NPN 160V 16A TO247

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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