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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > MJE5730G
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4938762Imagen MJE5730GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJE5730G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MJE5730G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 300V 1A TO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MJE5730G.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    300V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 200mA, 1A
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    40W
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Otros nombres
    MJE5730GOS
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    2 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    10MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    30 @ 300mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1mA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1A

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